专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种组合开关以及同步整流电路-CN201110044783.X无效
  • 王琳化;黄立巍;弗兰克·赫尔特 - 艾默生网络能源系统北美公司
  • 2011-02-22 - 2012-08-22 - H02M7/162
  • 本发明公开了一种组合开关,包括:第一晶体、第晶体、第一体、第以及第一二极;其中,第一体的阴极与第一晶体的漏连接,阳极与第一晶体的源连接;第的阴极与第晶体的漏连接,阳极与第晶体的源连接;该开关还包括:第一晶体和第晶体反向串联;第一二极与串联的第一晶体和第晶体并联。这种组合开关能够解决普通整流时导通损耗大或者采用MOSFET及体实现同步整流时其体内反向恢复损耗大等问题,提高了电路的效率。
  • 一种组合开关以及同步整流电路
  • [发明专利]同步耦合Buck电路及电源装置-CN202111224341.3有效
  • 吴臻员 - 深圳市新思电能科技有限责任公司
  • 2021-10-21 - 2022-02-11 - H02M3/158
  • 本发明公开一种同步耦合Buck电路及电源装置,该电路包括:电源输入端及电源输出端;耦合电感的输出端与电源输出端连接;第一上晶体阳极端与耦合电感的第一绕组同名端、第一下晶体阴极端连接,第一上晶体阴极端与电源输入端连接;第晶体阳极端与耦合电感的第绕组同名端、第晶体阴极端连接,第晶体阴极端与电源输入端连接;第一下晶体阳极端接地;第晶体阳极端接地。本发明可以解决Buck电路整流压降损耗问题,整流晶体Qrr(反向恢复电荷)损耗问题,整流晶体尖峰电压问题,以及Buck开关晶体开通损耗问题。
  • 同步耦合buck电路电源装置
  • [发明专利]同步耦合Boost电路、Boost电路及电源装置-CN202111067107.4在审
  • 吴臻员 - 深圳市新思电能科技有限责任公司
  • 2021-09-10 - 2021-12-10 - H02M3/158
  • 本发明公开一种同步耦合Boost电路、Boost电路及电源装置,该电路包括:第一上晶体的阳极端与耦合电感的第一绕组异名端、第一下晶体的阴极端连接,第一上晶体的阴极端与电源输出端连接;第晶体的阳极端与耦合电感的第绕组异名端、第晶体的阴极端连接,第晶体的阴极端与电源输出端连接;第一下晶体的阳极端接地;第晶体的阳极端接地本发明可以解决整流的压降损耗、整流晶体的反向恢复电荷损耗、在电感电流断续时电感与寄生电容谐振导致功率因素和谐波因素差,以及下桥晶体的开通损耗问题。
  • 同步耦合boost电路电源装置
  • [发明专利]同步耦合Boost电路、Boost电路及电源装置-CN202210997288.9在审
  • 吴臻员 - 深圳市新思电能科技有限责任公司
  • 2022-08-19 - 2022-11-15 - H02M3/04
  • 本发明公开一种同步耦合Boost电路、Boost电路及电源装置,该同步耦合Boost电路包括:第一上晶体的阳极端与耦合电感的第一绕组异名端、第一下晶体的阴极端连接,第一上晶体的阴极端与电源输出端连接;第晶体的阳极端与耦合电感的第绕组异名端、第晶体的阴极端连接,第晶体的阴极端与电源输出端连接;第一下晶体的阳极端接地;第晶体的阳极端接地本发明可以解决整流的压降损耗、整流晶体的反向恢复电荷损耗、在电感电流断续时电感与寄生电容谐振导致功率因素和谐波因素差,以及下桥晶体的开通损耗问题。
  • 同步耦合boost电路电源装置
  • [发明专利]像素和包括像素的显示装置-CN202210991136.8在审
  • 金善光;赵康文 - 三星显示有限公司
  • 2022-08-18 - 2023-06-09 - G09G3/3225
  • 像素包括第一驱动晶体至第四驱动晶体连接到第一驱动晶体的第一发光连接到第驱动晶体并且在第一方向上与第一发光间隔开的第发光连接到第三驱动晶体并且布置在第一发光与第发光之间的第三发光以及连接到第四驱动晶体并且布置在第一发光与第发光之间的第四发光,其中,第一驱动晶体的平面面积小于第三驱动晶体和第四驱动晶体中的每个的平面面积,第驱动晶体的平面面积小于第三驱动晶体和第四驱动晶体中的每个的平面面积,并且第一数据信号施加到第一驱动晶体和第驱动晶体
  • 像素包括显示装置
  • [实用新型]像素和包括像素的显示装置-CN202222174670.8有效
  • 金善光;赵康文 - 三星显示有限公司
  • 2022-08-18 - 2023-01-31 - G09G3/3225
  • 像素包括第一驱动晶体至第四驱动晶体连接到第一驱动晶体的第一发光连接到第驱动晶体并且在第一方向上与第一发光间隔开的第发光连接到第三驱动晶体并且布置在第一发光与第发光之间的第三发光以及连接到第四驱动晶体并且布置在第一发光与第发光之间的第四发光,其中,第一驱动晶体的平面面积小于第三驱动晶体和第四驱动晶体中的每个的平面面积,第驱动晶体的平面面积小于第三驱动晶体和第四驱动晶体中的每个的平面面积,并且第一数据信号施加到第一驱动晶体和第驱动晶体
  • 像素包括显示装置
  • [发明专利]摄像器件-CN201910870491.8有效
  • 山本敦彦 - 索尼半导体解决方案公司
  • 2014-10-23 - 2022-03-18 - H04N5/365
  • 摄像器件包括:第一光电连接到第一光电的第一传输晶体;第光电连接到第光电的第传输晶体;第三光电连接到第三光电的第三传输晶体;第四光电连接到第四光电的第四传输晶体;以及浮动扩散部,连接到第一传输晶体、第传输晶体、第三传输晶体和第四传输晶体;其中,第一光电和第四光电配置为接收具有第一光谱的光,其中,第光电配置为接收具有第光谱的光,第光谱与第一光谱不同,并且其中,第三光电配置为接收具有第三光谱的光,第三光谱与第一光谱和第光谱不同。
  • 摄像器件
  • [发明专利]发光驱动电路-CN202010013559.3有效
  • 林逸承;李明贤;林峻锋;邱韦嘉 - 友达光电股份有限公司
  • 2020-01-07 - 2022-02-18 - G09G3/32
  • 本发明公开一种发光驱动电路,其包含第一晶体、电容、驱动晶体、发光以及切换晶体。其中,第一晶体与切换晶体连接驱动晶体的控制端。当发光驱动电路为第一模式时,第一晶体导通而切换晶体关闭,通过第一晶体的灰阶写入信号对发光进行调光。当发光驱动电路为第模式时,切换晶体导通而第一晶体关闭,通过切换晶体的栅极关闭信号拉高栅极源跨压。
  • 发光二极管驱动电路
  • [发明专利]一种IGBT功率器件-CN201711058063.2有效
  • 刘伟;龚轶;刘磊;袁愿林 - 苏州东微半导体股份有限公司
  • 2017-11-01 - 2021-02-26 - H01L29/739
  • 本发明实施例提供的一种IGBT功率器件,包括双晶体、第一MOS晶体、第MOS晶体、体和体区接触,所述体区接触的阳极与所述体的阳极连接,所述体区接触的阴极与所述双晶体的发射连接;所述第一MOS晶体的第一栅极并通过IGBT功率器件的栅极电压来控制所述第一MOS晶体的开启和关断,所述第MOS晶体的第栅极与所述双晶体的发射连接,所述第MOS晶体的第栅极通过IGBT功率器件的发射电压来控制所述第MOS晶体的开启和关断。
  • 一种igbt功率器件
  • [发明专利]单功率相降压和升压转换器-CN202111495745.6在审
  • T·V·特兰;V·尤瑟夫扎德 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2021-12-09 - 2022-06-28 - H05B45/375
  • 在示例中,一种装置包括晶体(206)、开关(202)、(216)、电容器(222)、分压器(218/220)、第晶体(226)、电阻器(224)和控制器(210)。晶体具有晶体晶体晶体栅极。开关适于通过电感器(228)将电源(110)耦合到晶体具有阴极和阳极,阴极耦合到晶体。电容器耦合在阳极和接地(236)之间。分压器耦合在阳极和接地之间,并具有分压器输出。第晶体具有第晶体和第晶体栅极。电阻器耦合在阳极和第晶体之间。控制器耦合到晶体栅极、晶体、分压器输出、阳极、第晶体栅极和第晶体
  • 功率降压升压转换器
  • [发明专利]半导体装置-CN201480059147.6有效
  • 早稻仓真树 - 丰田自动车株式会社
  • 2014-10-23 - 2018-12-11 - H03K17/082
  • 一种半导体装置包括:晶体(12)、(15)、感应晶体(13)、感应(16)、电阻器(20)以及钳位电路(30)。反向并联连接晶体。电阻器在所述电阻器的一端连接至感应晶体的发射和感应的阳极,并且在电阻器的另一端连接晶体的发射的阳极。钳位电路配置为钳制当感应电流流动时在所述电阻器中产生的电压。感应电流与流向所述的电流的比率大于感应电流与流向晶体的电流的比率。
  • 半导体装置
  • [发明专利]一种具有柔性薄膜微波应变PIN阵列的检测器-CN201510427083.7有效
  • 秦国轩;刘昊;蔡天昊;王飞;徐艳蒙;黄治塬 - 天津大学
  • 2015-07-20 - 2017-09-15 - G01B7/28
  • 一种具有柔性薄膜微波应变PIN阵列的检测器,在阵列的信号输入端连接行驱动信号,信号输出端依次通过模拟信号处理单元和AD转换单元连接列驱动信号,阵列是由多数个应变单元构成,应变单元有柔性的第一应变和第应变,第一应变和第应变的一端分别对应连接用于控制应变单元的开启和关闭的第一晶体和第晶体的源,另一端接电源,第一晶体和第晶体的栅极连接行驱动信号,第一晶体和第晶体的漏依次通过模拟信号处理单元和AD转换单元连接列驱动信号,第一应变和第应变构成L型结构的应变组。
  • 一种具有柔性薄膜微波应变pin二极管阵列检测器
  • [发明专利]逆变器-CN201480081556.6有效
  • 大西启祐;木下雅博;小柳公之 - 东芝三菱电机产业系统株式会社;三菱电机株式会社
  • 2014-08-29 - 2018-12-21 - H02M7/483
  • 逆变器包括:第1晶体(Q1),该第1晶体(Q1)连接于第1输入端子(T1)及输出端子(T4)之间;第2晶体(Q2),该第2晶体(Q2)连接于输出端子(T4)及第2输入端子(T2)之间;第1及第2(D1、D2),该第1及第2(D1、D2)分别与第1晶体及第2晶体(Q1、Q2)反向并联连接;以及双向开关,该双向开关连接于第3输入端子(T3)及输出端子(T4)之间,包含第3晶体及第4晶体(Q3、Q4)以及第3及第4(D3、D4)。第1晶体、第2晶体(Q1、Q2)、第3以及第4(D3、D4)均由宽带隙半导体形成,第3晶体、第4晶体(Q3、Q4)、第1以及第2(D1、D2)均由宽带隙半导体以外的半导体形成
  • 逆变器

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